На симпозіумі VLSI 2024, що відбувся минулого тижня, компанія SK hynix представила проміжні результати своїх досліджень у сфері 3D DRAM. Підприємство заявило про досягнення вражаючих показників – рівень виходу придатної продукції склав 56,1% для п’ятишарових мікросхем. Цей результат, надзвичайно високий на початковому етапі випуску нового типу напівпровідникових виробів, свідчить про значний прогрес у розробці та виробництві 3D DRAM.
Представники SK hynix зауважили, що дослідні зразки 3D DRAM мають конкурентоспроможні характеристики порівняно з традиційними чипами з планарним компонуванням. Вони також підкреслили необхідність подальших досліджень і розробок для забезпечення стабільної швидкодії мікросхем і їх готовності до масового виробництва.
У майбутньому SK hynix планує розширити асортимент продукції 3D DRAM, включаючи мікросхеми з кількістю шарів від 32 до 192. Це крок назустріч підвищенню обсягів виробництва та забезпеченню широкого впровадження тривимірної пам’яті у майбутніх обчислювальних системах.
Загальний настрій у галузі демонструє те, що 3D DRAM наближається до великомасштабного використання, відкриваючи нові перспективи для індустрії напівпровідникових технологій.